Samsung supera las 400 capas con su nueva memoria V10 BV-NAND
Samsung presentó V10 BV-NAND, su décima generación de memoria V-NAND, una tecnología que supera las 400 capas de celdas apiladas verticalmente y que busca aumentar la capacidad y el rendimiento del almacenamiento para responder a las crecientes necesidades de los sistemas de inteligencia artificial y centros de datos.
La compañía dio a conocer esta tecnología durante FMS 2026 como parte de su estrategia de desarrollo de memorias tridimensionales. Frente a la generación V9, Samsung señala que V10 BV-NAND incrementa aproximadamente 58% la densidad de bits, lo que permite almacenar una mayor cantidad de información dentro de una superficie similar.
Más de 400 capas y una nueva forma de fabricar V-NAND
El avance de V10 no se limita al número de capas. Una de sus principales diferencias se encuentra en su arquitectura de fabricación.
En generaciones anteriores, las celdas de memoria y los circuitos periféricos responsables de su funcionamiento se fabricaban sobre una misma oblea. Con V10 BV-NAND, Samsung produce ambos componentes por separado y posteriormente los une mediante un proceso de bonding.
Esta configuración permite reducir algunas de las limitaciones estructurales que aparecen al aumentar progresivamente el número de capas en una memoria NAND y hace posible superar la barrera de las 400 capas. Samsung también utiliza una estructura de tres stacks para conseguir este nivel de apilamiento.
En términos prácticos, las capas corresponden a las estructuras donde se encuentran las celdas encargadas de almacenar información. Mientras mayor sea la cantidad de celdas que puedan colocarse verticalmente dentro de una superficie determinada, mayor puede ser la densidad de almacenamiento.
Samsung reporta mejoras en rendimiento
Además del aumento de 58% en densidad de bits frente a V9, Samsung reporta una mejora de 45% en el tiempo de programación y un incremento de 33% en la velocidad de entrada y salida de datos.
El tiempo de programación está relacionado con el proceso mediante el cual se escribe información en las celdas NAND. Estas cifras, sin embargo, corresponden directamente a las mejoras de la tecnología de memoria y no deben interpretarse como un aumento equivalente en el rendimiento general de un SSD, ya que éste también depende de otros componentes y de su configuración.
Samsung también señala que la nueva arquitectura permite utilizar procesos más adecuados para fabricar los circuitos periféricos, con el objetivo de disminuir el consumo energético durante el funcionamiento y mejorar el desempeño.
El almacenamiento también toma importancia con la IA
El desarrollo de V10 BV-NAND responde a un escenario en el que los sistemas de inteligencia artificial requieren almacenar y mover cantidades cada vez mayores de información.
Aunque gran parte de la atención de la industria se concentra en procesadores y memorias de alto ancho de banda como HBM, la memoria NAND continúa siendo fundamental para conservar los grandes volúmenes de datos utilizados tanto durante el entrenamiento como durante la ejecución de modelos de inteligencia artificial. Samsung ya había identificado esta necesidad durante el desarrollo de su anterior generación V9.
La mayor densidad de V10 podría permitir almacenar más información utilizando un espacio físico similar. Samsung contempla su futura implementación en SSD y otros productos de almacenamiento, además de aplicaciones para centros de datos, donde aumentar la capacidad disponible sin incrementar en la misma proporción el espacio ocupado puede mejorar la eficiencia de la infraestructura.
De V9 a una nueva generación
Samsung inició en abril de 2024 la producción en masa de V9 V-NAND, su generación anterior. Aquella tecnología debutó con chips TLC de 1 Tb, una densidad de bits aproximadamente 50% superior a V8 y velocidades de entrada y salida de hasta 3.2 Gbps.
V10 representa ahora el siguiente avance de esta familia al introducir más de 400 capas y modificar la arquitectura mediante la fabricación separada de las celdas y sus circuitos periféricos.
El salto también refleja la evolución que ha experimentado la tecnología V-NAND desde que Samsung comenzó a producir su primera generación con estructura tridimensional en 2013.
Por ahora, Samsung no informó en su presentación una fecha específica para el inicio de la producción masiva de V10 BV-NAND, tampoco anunció capacidad por chip, precios, clientes ni modelos comerciales de SSD que incorporarán esta memoria.
La presentación de FMS 2026 funciona así como un adelanto de la dirección que tomará la próxima generación de almacenamiento NAND: más capas, mayor densidad y una arquitectura diseñada para seguir aumentando la capacidad frente al crecimiento acelerado de los datos utilizados por la inteligencia artificial.
